片功耗急剧上升，发热失控。
“所以，前世从7n到5n、3n，关键的一步，就是必须抛弃Fi，全面转向GAA（环绕栅极）架构！”
这个念头一起，他脑中的晶体管模型瞬间发生了变化。原本“鱼鳍”一样的硅通道，变成了一根根更细的、悬空的“纳米线”或者“纳米片”。而栅极，则像一个完整的圆环，将这些纳米线\/片360度无死角地包裹起来。
“从三面包裹到四面环绕，控制力的提升是指数级的！这能最大限度地抑制量子隧穿，将漏电扼杀在摇篮里。三星和台积电在现实中就是这么规划的，这是从7n迈向3n的必由之路。”
解决了晶体管架构的问题，只是第一步。陈启明面临着一个更恐怖的难题。
“但是，1n……那已经是原子级别的尺度了。仅仅依靠GAA架构也不够。最大的瓶颈有两个：如何‘画’出1n的线路，以及如何让‘画’出来的线路有效工作。”
第一个问题，指向了光刻机的核心——光学系统。
“目前主流的EUV光刻机，其光学系统的数值孔径（NA）是0.33。用一个通俗的比喻，这就像用一支笔尖0.33毫米粗的笔，去画7纳米宽的线，已经非常勉强。想要画出1纳米的线，用这支笔是绝对不可能的，光线的衍射效应会把图案弄得一团模糊。”
“唯一的出路，就是升级到high-NA EUV，也就是高数值孔径的EUV光刻机！”
他的思绪瞬间锁定了前世中ASL和蔡司正在艰难攻关的下一代技术。
“将数值孔径从0.33提升到0.55！这意味着光学系统要彻底推倒重来。不能再用传统的对称式反射镜组，必须引入‘变形镜’（Anaorphic irrors）！整个光路系统将变得无比复杂，反射镜的数量和精度要求都将达到一个全新的、令人发指的级别！”
第二个问题，则是材料科学的终极挑战——互连线电阻。
“当线路宽度缩减到1n级别时，传统的铜互连导线会遇到灾难性的电阻率飙升问题。电子在如此狭窄的通道中移动，会频繁地与导线晶格的边界和表面发生散射，导致电阻急剧增大，信号延迟，功耗爆炸。这就是‘尺寸效应’。继续用铜，等于修了一条只有一个车道的高速公路，瞬间就会堵死。”
“必须寻找新的互连材料！钴？钌？石墨烯？”
无数种前沿材料的物理参数在他脑中飞速闪过，进行着亿万次的模拟和匹配。
“钴和钌比铜好，但提升有限。石墨烯理论上完美，但目前的制备工艺还无法满足晶圆级大规模、无缺陷的制造要求……”
突然，一个被他从知识库深处挖掘出来的、融合了多种技术的解决方案，在他脑海中闪耀出璀璨的光芒。
“有了！”
陈启明的嘴角微微上翘。
“晶体管，采用多层堆叠的环绕栅极纳米片（Stacked Na GAA）结构！光学系统，设计一套全新的、包含八块非球面变形镜的0.55 high-NA EUV光路！互连材料，放弃单一材料方案，采用‘钌-石墨烯’复合薄膜技术，利用原子层沉积（ALd）技术，先铺设一层超薄的钌作为黏合与阻挡层，再在上面原位生长单晶石墨烯作为核心导电层！”
这三大核心突破，如三根擎天之柱，瞬间撑起了一座前所未有的科技殿堂！
原本只是模糊的想法，在这一刻变得无比清晰。
无数关于物理、材料、光学、精密控制等的公式和参数在他脑中自动排列组合。他甚至不需要纸和笔，整个设计过程都在他的脑海中以超越超算的速度进行着。
每一块反射镜的曲率参数、每一个支撑结构的拓扑构型、每一道制造工序的温度和压力……所有的一切，都以最完美、最合理的方式组合在一起。
短短十几分钟的沉思，其运算量，足以让全
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