达了江城半导体后，徐申学第一时间看到的就是该地分公司拿出来的最新成果：采用3DNAND技术的全新一代的闪存芯片。
作为上级公司的丁成军自然也非常了解自家旗下子公司的业务情况，当即介绍道：“这是我们第一批试制出来的3DNAND闪存颗粒，我们在上头堆叠了二十六层的密度层级，这是一个相当惊人的数据，仅仅是生产过程里就需要进行二十几次的光刻！”
“而最终生产出来的闪存颗粒面积小，能耗低，容量大，单枚闪存颗粒达到了16GB的容量！”
“徐董你看，这枚闪存颗粒的面积只有的八十多平方毫米，我们可以很轻易的在手机如此小的空间里，也能轻易集成128GB的储存容量！”
“如果是做成PC使用的固态硬盘，没有太大的空间限制，我们甚至能够堆叠到512GB容量。”
“这种3D闪存，可靠性非常高，是一种非常优秀的企业级闪存，我们预估在企业市场里会有非常大的需求！”
“当然，我们的这种闪存目前也存在一些问题，主要是我们的生产线还没有完成，现在这些样品都是小批量特殊试制出来的，商业化量产的话成本还是比较高一些，我们目前建设生产线，有望在两个月后就完成生产线调整，并向市场推出第一代的3D闪存颗粒以及相应的固态硬盘产品！”
徐申学看着眼前的这枚小小的闪存颗粒芯片，说实话很难相信这玩意竟然能够储存16GB的数据。
这几乎是打破了之前常规闪存技术的认知。
不过这也是芯片领域朝着立体化发展的重要原因，就是在芯片面积有限的的情况下，从平面到立体发展，尽可能的堆叠更多的晶体管。
当然也不能瞎搞，还需要解决功耗问题，不然散热问题会很麻烦。
“目前这种第一代的闪存芯片，只是我们的初步技术成果，实际上根据我们的设计预料，我们完全能够把层数做到三十二层甚至更高一些，当然考虑到成本以及产品持续升级的需求，我们还是打算先推出第一代二十六层的产品，明年推出第二代三十二层，等到第三代的时候再推出四十五层，逐步往上堆叠！”
“以平稳的进行技术的快速迭代，并且控制成本，同时更有利于市场营销！”
徐申学拿起来了这枚小小的闪存颗粒，然后道：“能够这么快把东西做出来，可见你们是下了苦功夫的，继续努力，争取让我们今年的新产品也用上，今年的发布会还是六月，你们要加快速度了！”
丁成军道：“整体问题不大，这3D闪存颗粒，可以说已经完成了流片了，现在剩下的就是生产线以及良率问题，而整体上问题也不是很大！”
看过闪存之后，徐申学又顺带看了看江城半导体这边的内存产品，相对于闪存有比较大的技术突破，并且还是走3D路线，现在的内存芯片则是要普通多了。
这玩意目前还不太好使用3D技术，因此想要提升性能的话只能是靠着制程工艺来死磕。
目前江城半导体的内存技术，是达到在三十纳米工艺上，这个技术水平其实已经相当不错，属于当下的一流水准了，江城半导体根据这个工艺水准，代工的智云半导体的DD3内存颗粒性能也是
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